製造商產品編號:
TSM088NA03CR RLG
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM088NA03CR RLG-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
详细描述:
N-Channel 30 V 61A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
庫存:
12896635
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TSM088NA03CR RLG 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
61A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
750 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
56W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-PDFN (5x6)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
TSM088
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
TSM088NA03CR RLGDKR-DG
TSM088NA03CRRLGDKR
TSM088NA03CR RLGCT-DG
TSM088NA03CR RLGDKR
TSM088NA03CR RLGTR
TSM088NA03CRRLGTR
TSM088NA03CRRLGCT
TSM088NA03CR RLGTR-DG
TSM088NA03CR RLGCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
BSZ086P03NS3GATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
6668
部件號碼
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
單位價格
0.29
替代類型
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